DDR4SDRAM是第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器，属于SDRAM家族的最新迭代产品。其核心技术特性包括采用1.2V低电压供电，数据传输率可达2133～3200MT/s，通过Bank Group设计和总线优化实现了更高的内存带宽。该规格自2014年首次获得超微和英特尔处理器支持后，逐步成为高性能计算、服务器及消费级设备的主流内存解决方案。相较于前代产品，DDR4在能效比、存储密度和数据可靠性方面均有显著提升。

采用Bank Group分组架构设计，通过8个独立Bank组实现并行存取操作，显著提升吞吐效率。支持DBI（数据总线倒置）和CRC（循环冗余校验）技术，有效降低信号干扰并提升数据完整性。引入动态电压与频率调整技术，可根据工作负载实时优化功耗。

2014年第二季度推出带ECC校验的企业级产品，第三季度发布无ECC校验的消费级型号。英特尔Haswell-E平台成为首个完整支持DDR4的消费级处理器架构，后续Skylake（2015年）、Kaby Lake（2016年）等架构持续完善兼容性支持。

主要应用于需要高吞吐量的场景，包括：